351
Фонд
:
Ф. 351 ОАО НИИ "Научный центр"
Номер фонда
:
351
Наименование
:
ОАО НИИ "Научный центр"
Полное наименование
:
ОАО НИИ "Научный центр"
ОАО НИИ "Научный центр"
Аннотация
:
Научно-исследовательская документация.
Разработка, изготовление интегральных схем (ИС). Разработка методов и создание контрольно-измерительной системы для контроля параметров ИС. Исследование способов и разработка оборудования для изготовления функциональных узлов микросхем. Разработка и внедрение методики математического обеспечения для расчета и проектирования БИС (больших интегральных схем) и их компонентов. Разработка структур кремния на сапфире для КМОП ИС (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник). Исследование принципов построения микропроцессорных вычислительных средств для бортовых авиационных радиоэлектронных комплексов. Развитие и внедрение комплекса технических средств отраслевой автоматизированной системы проектирования интегральных полупроводниковых схем. Анализ состояния метрологического обеспечения разработки, производства и испытаний интегральных микросхем.
Разработка микроминиатюрных телевизионных приемников, матричных жидкокристаллических дисплеев и цветных жидкокристаллических индикаторов. Разработка микроэлектронных блоков радиоэлектронной аппаратуры.
Разработка принципов построения элементов и устройств памяти на основе новых физических явлений. Исследования квантовых и резонансных свойств веществ с целью использования их в микроэлектронике.
Исследование новых полупроводниковых материалов и оценка перспектив использования их в микроэлектронике. Анализ состояния и перспективы развития специального оборудования для микроэлектроники в СССР и за рубежом. Межотраслевой обмен информацией и взаимное использование научно-технических достижений и др.
Анализ, совершенствование конструкций и технологии изготовления, разработка перспективных интегральных схем (ИС) и полупроводниковых приборов (ПП). Разработка автоматизированной типовой цеховой системы контроля и анализа технологических процессов изготовления интегральных схем. Исследования средств и методов испытания интегральных схем для условий серийного производства. Проекты оптимальной организации производства структур ИС и БИС (больших интегральных схем). Анализ и систематизация методов контроля и измерения параметров полупроводниковых материалов. Исследование образцов полупроводниковых материалов, полученных на аппаратуре «Кристалл» на борту орбитальной станции «Салют-6». Исследования методов создания элементов интегральной оптоэлектроники. Отчеты по межотраслевому обмену информацией и взаимному использованию научно-технических достижений. Исследование развития электронной техники.
Разработка больших и сверхбольших, сверхбыстродействующих ИС, оперативных запоминающих устройств, полупроводниковых приборов. Разработка и внедрение промышленных технологий производства ИС различных серий на предприятиях отрасли. Разработка требований к технологическим процессам изготовления ИС повышенной надежности. Разработка и внедрение системы контроля и анализа технологии ИС на новых полупроводниковых материалах. Исследования возможности использования лазерного излучения в технологии изготовления оптоэлектронных и криоэлектронных ИС.
Исследования плазмохимических процессов в производстве кремниевых структур. Разработка интегральных дешифраторов. Автоматизация проектирования радиоэлектронной аппаратуры, БИС, СБИС. Исследование и разработка физико-химических методов формирования субмикронных элементов микросхем. Исследование возможности разработки и изготовление функциональных узлов для интегрально-оптического анализатора спектра. Разработка лабораторной технологии рентгенолитографии.
Оказание технической помощи предприятиям отрасли в процессе изготовления оборудования. Анализ, отбор и содействие внедрению научно-технических достижений; организация взаимодействия предприятий отрасли. Автоматизация, роботизация и интеллектуализация производства в электронном машиностроении. Анализ межотраслевого обмена информацией и взаимного использования научно-технических достижений. Анализ деятельности зарубежных фирм и внешних экономических связей.
Научно-исследовательская документация.
Разработка, изготовление интегральных схем (ИС). Разработка методов и создание контрольно-измерительной системы для контроля параметров ИС. Исследование способов и разработка оборудования для изготовления функциональных узлов микросхем. Разработка и внедрение методики математического обеспечения для расчета и проектирования БИС (больших интегральных схем) и их компонентов. Разработка структур кремния на сапфире для КМОП ИС (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник). Исследование принципов построения микропроцессорных вычислительных средств для бортовых авиационных радиоэлектронных комплексов. Развитие и внедрение комплекса технических средств отраслевой автоматизированной системы проектирования интегральных полупроводниковых схем. Анализ состояния метрологического обеспечения разработки, производства и испытаний интегральных микросхем.
Разработка микроминиатюрных телевизионных приемников, матричных жидкокристаллических дисплеев и цветных жидкокристаллических индикаторов. Разработка микроэлектронных блоков радиоэлектронной аппаратуры.
Разработка принципов построения элементов и устройств памяти на основе новых физических явлений. Исследования квантовых и резонансных свойств веществ с целью использования их в микроэлектронике.
Исследование новых полупроводниковых материалов и оценка перспектив использования их в микроэлектронике. Анализ состояния и перспективы развития специального оборудования для микроэлектроники в СССР и за рубежом. Межотраслевой обмен информацией и взаимное использование научно-технических достижений и др.
Анализ, совершенствование конструкций и технологии изготовления, разработка перспективных интегральных схем (ИС) и полупроводниковых приборов (ПП). Разработка автоматизированной типовой цеховой системы контроля и анализа технологических процессов изготовления интегральных схем. Исследования средств и методов испытания интегральных схем для условий серийного производства. Проекты оптимальной организации производства структур ИС и БИС (больших интегральных схем). Анализ и систематизация методов контроля и измерения параметров полупроводниковых материалов. Исследование образцов полупроводниковых материалов, полученных на аппаратуре «Кристалл» на борту орбитальной станции «Салют-6». Исследования методов создания элементов интегральной оптоэлектроники. Отчеты по межотраслевому обмену информацией и взаимному использованию научно-технических достижений. Исследование развития электронной техники.
Разработка больших и сверхбольших, сверхбыстродействующих ИС, оперативных запоминающих устройств, полупроводниковых приборов. Разработка и внедрение промышленных технологий производства ИС различных серий на предприятиях отрасли. Разработка требований к технологическим процессам изготовления ИС повышенной надежности. Разработка и внедрение системы контроля и анализа технологии ИС на новых полупроводниковых материалах. Исследования возможности использования лазерного излучения в технологии изготовления оптоэлектронных и криоэлектронных ИС.
Исследования плазмохимических процессов в производстве кремниевых структур. Разработка интегральных дешифраторов. Автоматизация проектирования радиоэлектронной аппаратуры, БИС, СБИС. Исследование и разработка физико-химических методов формирования субмикронных элементов микросхем. Исследование возможности разработки и изготовление функциональных узлов для интегрально-оптического анализатора спектра. Разработка лабораторной технологии рентгенолитографии.
Оказание технической помощи предприятиям отрасли в процессе изготовления оборудования. Анализ, отбор и содействие внедрению научно-технических достижений; организация взаимодействия предприятий отрасли. Автоматизация, роботизация и интеллектуализация производства в электронном машиностроении. Анализ межотраслевого обмена информацией и взаимного использования научно-технических достижений. Анализ деятельности зарубежных фирм и внешних экономических связей.
Историческая справка
:
Центр микроэлектроники (ЦМ) был создан Постановлением ЦК КПСС и Совмина СССР от 08 августа 1962 г. в г. Зеленограде. ЦМ стал головной организацией по микроэлектронике в СССР. В состав Центра микроэлектроники первоначально входили дирекция Центра, научно-исследовательские институты (НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов) и опытные заводы, подчиненные непосредственно Центру. В марте 1965 г. Центру микроэлектроники было присвоено наименование – «Научный Центр». В 1976 г. дирекция НЦ и Специализированный вычислительный центр были преобразованы в Специализированное конструкторское бюро НЦ (СКБ НЦ). В том же году на базе комплекса научно-исследовательских, конструкторских и производственных предприятий ордена Ленина «Научного Центра» было организовано Научно-производственное объединение «Научный центр» (НПО «НЦ»). СКБ «НЦ» было определено головным предприятием НПО «НЦ». В 1983 г. на базе СКБ «НЦ» был организован Научно-исследовательский институт «Научный центр» с заводом «Квант». НИИ «НЦ» стал головной организацией НПО «НЦ». В 1983 г. в состав НПО входило: НИИ «НЦ», завод «Квант», завод «Логика», НИИ молекулярной электроники «НИИМЭ», завод Микрон, НИИ точного машиностроения «НИИТМ», завод «Элион», НИИ точной технологии «НИИТТ», завод и филиал завода «Ангстрем», НПО «Вакууммашприбор», НИИ вакуумной техники «НИИВТ» им. Векшинского С.А., завод и филиал завода «Вакуум», завод и ОКБ при заводе «Токамак», завод «Элитон», НПО «Инфракон», «ЦНИИ», завод «Ореол», Электромеханический завод, Центральная автобаза «Научногоцентра», РСУ НПО «НЦ», Электромеханический завод им. Пегельмана, завод «Калькулятор», завод и ОКБ при заводе «Экситон», НПО «Вента», НИИ «Вента», завод при НПО «Вента», Шауляйский завод «Нуклон» и СКТБ при заводе, ПО «Мезон», завод, филиал завода и СКТБ при заводе «Мезон», ОКБ машиностроения «Тензон», техцентр «Электронсервис», завод «Днестр», завод «Денай», НПО «Мион», НИИ «Мион», завод при НИИ «Мион», завод «Азон», СКТБ при заводе «Азон», завод «Биллур», завод «Аналог». Предприятия, входившие в НПО, находились не только в РСФСР, но и других союзных республиках СССР (Азербайджан, Грузия, Литва, Эстония).
Приказом министра электронной промышленности от 29 марта 1991 г. НПО «Научный центр» было упразднено и на его базе был создан Научно-производственный концерн «Научный центр» (НПК «НЦ»). В 2000-ые гг. НПК «НЦ» прекратил свою деятельность, последняя документация НПК «НЦ», поступившая в РГАНТД, датируется 2000 годом. Отчеты по научно-исследовательской работе различных организаций, входивших в систему НПК «НЦ» и его предшественников, поступали в НПК «НЦ» и при передаче на постоянное хранение в РГАНТД из них была сформирована коллекция.
Основные направления деятельности: фундаментальные исследования в области микроэлектроники, разработка образцов аналоговой и цифровой аппаратуры, новых материалов, оборудования, технологических процессов,автоматизированных систем управления.
Центр микроэлектроники (ЦМ) был создан Постановлением ЦК КПСС и Совмина СССР от 08 августа 1962 г. в г. Зеленограде. ЦМ стал головной организацией по микроэлектронике в СССР. В состав Центра микроэлектроники первоначально входили дирекция Центра, научно-исследовательские институты (НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов) и опытные заводы, подчиненные непосредственно Центру. В марте 1965 г. Центру микроэлектроники было присвоено наименование – «Научный Центр». В 1976 г. дирекция НЦ и Специализированный вычислительный центр были преобразованы в Специализированное конструкторское бюро НЦ (СКБ НЦ). В том же году на базе комплекса научно-исследовательских, конструкторских и производственных предприятий ордена Ленина «Научного Центра» было организовано Научно-производственное объединение «Научный центр» (НПО «НЦ»). СКБ «НЦ» было определено головным предприятием НПО «НЦ». В 1983 г. на базе СКБ «НЦ» был организован Научно-исследовательский институт «Научный центр» с заводом «Квант». НИИ «НЦ» стал головной организацией НПО «НЦ». В 1983 г. в состав НПО входило: НИИ «НЦ», завод «Квант», завод «Логика», НИИ молекулярной электроники «НИИМЭ», завод Микрон, НИИ точного машиностроения «НИИТМ», завод «Элион», НИИ точной технологии «НИИТТ», завод и филиал завода «Ангстрем», НПО «Вакууммашприбор», НИИ вакуумной техники «НИИВТ» им. Векшинского С.А., завод и филиал завода «Вакуум», завод и ОКБ при заводе «Токамак», завод «Элитон», НПО «Инфракон», «ЦНИИ», завод «Ореол», Электромеханический завод, Центральная автобаза «Научногоцентра», РСУ НПО «НЦ», Электромеханический завод им. Пегельмана, завод «Калькулятор», завод и ОКБ при заводе «Экситон», НПО «Вента», НИИ «Вента», завод при НПО «Вента», Шауляйский завод «Нуклон» и СКТБ при заводе, ПО «Мезон», завод, филиал завода и СКТБ при заводе «Мезон», ОКБ машиностроения «Тензон», техцентр «Электронсервис», завод «Днестр», завод «Денай», НПО «Мион», НИИ «Мион», завод при НИИ «Мион», завод «Азон», СКТБ при заводе «Азон», завод «Биллур», завод «Аналог». Предприятия, входившие в НПО, находились не только в РСФСР, но и других союзных республиках СССР (Азербайджан, Грузия, Литва, Эстония).
Приказом министра электронной промышленности от 29 марта 1991 г. НПО «Научный центр» было упразднено и на его базе был создан Научно-производственный концерн «Научный центр» (НПК «НЦ»). В 2000-ые гг. НПК «НЦ» прекратил свою деятельность, последняя документация НПК «НЦ», поступившая в РГАНТД, датируется 2000 годом. Отчеты по научно-исследовательской работе различных организаций, входивших в систему НПК «НЦ» и его предшественников, поступали в НПК «НЦ» и при передаче на постоянное хранение в РГАНТД из них была сформирована коллекция.
Основные направления деятельности: фундаментальные исследования в области микроэлектроники, разработка образцов аналоговой и цифровой аппаратуры, новых материалов, оборудования, технологических процессов,автоматизированных систем управления.
Количество дел
:
3502
Крайние даты документов
:
1964-1991
Количество описей
:
8