323
Фонд
:
Ф. 323 Публичное акционерное общество научно-производственное предприятие "Сапфир"
Номер фонда
:
323
Наименование
:
ОАО НПП "Сапфир"
Полное наименование
:
Публичное акционерное общество научно-производственное предприятие "Сапфир"
Публичное акционерное общество научно-производственное предприятие "Сапфир"
Переименования
Дата
:
01.01.1991
Переименование
:
ОАО Научно-производственное предприятие «Сапфир»
Сокращенное наименование
:
ОАО «НПП Сапфир»
Дата
:
12.02.1966-17.11.1972
Переименование
:
Научно-исследовательский институт полупроводникового приборостроения
Сокращенное наименование
:
НИИ ППС
Примечание
:
Министерство электронной промышленности СССР (1965–1991)
Дата
:
14.09.1951-12.02.1966
Переименование
:
Электровакуумный научно-исследовательский институт № 311
Сокращенное наименование
:
НИИ №311
Примечание
:
Министерство промышленности средств связи СССР (1951–1956);
– Министерство радиотехнической промышленности СССР (1956–1958);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по радиоэлектронике (1958–1961);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по электронной технике (1961–1962);
– Государственный комитет по электронной технике СССР (1963–1965);
– Министерство электронной промышленности СССР (1965–1991).
– Министерство радиотехнической промышленности СССР (1956–1958);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по радиоэлектронике (1958–1961);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по электронной технике (1961–1962);
– Государственный комитет по электронной технике СССР (1963–1965);
– Министерство электронной промышленности СССР (1965–1991).
Дата
:
17.11.1972-01.01.1991
Переименование
:
Научно-исследовательский институт «Сапфир»
Сокращенное наименование
:
НИИ "Сапфир"
Примечание
:
Министерство электронной промышленности СССР (1965–1991)
Аннотация
:
Научно-исследовательская документация.
Разработка производственной технологии для электровакуумных приборов. Разработка импульсных диодов, универсальных, выпрямительных диодов, варикапов, стабилитронов, микродиодов, тиристоров, СВЧ детекторов, полупроводниковых генераторов шума, оптоэлектронных устройств. Разработка физико-химических методов анализа полупроводниковых структур и вспомогательных материалов. Исследование надежности и сохранности полупроводниковых приборов. Экономический анализ потерь в электровакуумном и полупроводниковом производстве. Изучение материалов, применяемых в производстве полупроводниковых приборов, организация разработок и испытаний новых материалов. Обследование и анализ зарубежных полупроводниковых диодов. Разработка методик и комплекса аппаратуры для проведения испытаний диодов. Разработка интегральных микросхем. Повышение качества полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Разработка и внедрение методики определения эффективного использования трудовых ресурсов на предприятиях отрасли. Исследование и анализ работы полупроводниковой отрасли промышленности в области создания и внедрения новой техники. Разработка технико-экономического обоснования комплексного развития отрасли на базе внедрения прогрессивных технологических процессов и оборудования.
Разработка оптоэлектронных приборов, методов оценки их надежности, испытательного оборудования для них. Исследование машинных методов моделирования оптоэлектронных структур. Разработка диодов, прецизионных стабилизаторов, цифро-знаковых индикаторов шкал и табло, светоизлучающих приборов. Усовершенствование технологии изготовления полупроводниковых приборов.
Разработка требований и номенклатуры интегральных схем управления. Разработка интегральных дешифраторов, интегральных запоминающих устройств на больших интегральных микросхемах (БИС ЗУ), фотошаблонов для БИС. Разработка индикаторов свечения с КМОП схемой управления. Разработка технологических процессов создания функциональных элементов запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ЗУ). Разработка системы управления технологией и автоматизированной системы контроля производства сверхбольших интегральных микросхем (СБИС).
Разработка схемотехники приемных и передающих модулей волоконных оптических линий связи на основе излучающих и фотоприемных приборов. Улучшение свойств приборов с зарядовой связью. Разработка коммутирующего элемента для спецаппаратуры. Исследование и разработка технологического процессов плазмохимического травления, очистки и нанесения диэлектрических покрытий. Разработка методов контроля и регулирования ионно-плазменных процессов нанесения и травления покрытий.
Научно-исследовательская документация.
Разработка производственной технологии для электровакуумных приборов. Разработка импульсных диодов, универсальных, выпрямительных диодов, варикапов, стабилитронов, микродиодов, тиристоров, СВЧ детекторов, полупроводниковых генераторов шума, оптоэлектронных устройств. Разработка физико-химических методов анализа полупроводниковых структур и вспомогательных материалов. Исследование надежности и сохранности полупроводниковых приборов. Экономический анализ потерь в электровакуумном и полупроводниковом производстве. Изучение материалов, применяемых в производстве полупроводниковых приборов, организация разработок и испытаний новых материалов. Обследование и анализ зарубежных полупроводниковых диодов. Разработка методик и комплекса аппаратуры для проведения испытаний диодов. Разработка интегральных микросхем. Повышение качества полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Разработка и внедрение методики определения эффективного использования трудовых ресурсов на предприятиях отрасли. Исследование и анализ работы полупроводниковой отрасли промышленности в области создания и внедрения новой техники. Разработка технико-экономического обоснования комплексного развития отрасли на базе внедрения прогрессивных технологических процессов и оборудования.
Разработка оптоэлектронных приборов, методов оценки их надежности, испытательного оборудования для них. Исследование машинных методов моделирования оптоэлектронных структур. Разработка диодов, прецизионных стабилизаторов, цифро-знаковых индикаторов шкал и табло, светоизлучающих приборов. Усовершенствование технологии изготовления полупроводниковых приборов.
Разработка требований и номенклатуры интегральных схем управления. Разработка интегральных дешифраторов, интегральных запоминающих устройств на больших интегральных микросхемах (БИС ЗУ), фотошаблонов для БИС. Разработка индикаторов свечения с КМОП схемой управления. Разработка технологических процессов создания функциональных элементов запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ЗУ). Разработка системы управления технологией и автоматизированной системы контроля производства сверхбольших интегральных микросхем (СБИС).
Разработка схемотехники приемных и передающих модулей волоконных оптических линий связи на основе излучающих и фотоприемных приборов. Улучшение свойств приборов с зарядовой связью. Разработка коммутирующего элемента для спецаппаратуры. Исследование и разработка технологического процессов плазмохимического травления, очистки и нанесения диэлектрических покрытий. Разработка методов контроля и регулирования ионно-плазменных процессов нанесения и травления покрытий.
Историческая справка
:
Электровакуумный научно-исследовательский институт № 311 (НИИ №311) с опытным заводом № 311 и ОКБ по разработке и производству электровакуумных приборов были организованы в соответствии с постановлением Совета Министров СССР приказом Министерства промышленности средств связи от 14 сентября 1951 г. В 1956 г. НИИ №311 перевели в Министерство радиотехнической промышленности СССР, и определилось новое направление деятельности института – разработка полупроводниковых приборов. Приказом Министерства электронной промышленности СССР от 12 февраля 1966 г. НИИ №311 переименован в Научно-исследовательский институт полупроводникового приборостроения (НИИ ППС). Приказом МЭП СССР от 17 ноября 1972 г.
НИИ ППС был переименован в Научно-исследовательский институт «Сапфир» (НИИ «Сапфир»).
Подведомственность:
– Министерство промышленности средств связи СССР (1951–1956);
– Министерство радиотехнической промышленности СССР (1956–1958);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по радиоэлектронике (1958–1961);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по электронной технике (1961–1962);
– Государственный комитет по электронной технике СССР (1963–1965);
– Министерство электронной промышленности СССР (1965–1991).
В настоящее время (на 2009 г.) – ОАО Научно-производственное предприятие «Сапфир» (ОАО «НПП Сапфир»).
Основные направления деятельности: разработка и производство полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Электровакуумный научно-исследовательский институт № 311 (НИИ №311) с опытным заводом № 311 и ОКБ по разработке и производству электровакуумных приборов были организованы в соответствии с постановлением Совета Министров СССР приказом Министерства промышленности средств связи от 14 сентября 1951 г. В 1956 г. НИИ №311 перевели в Министерство радиотехнической промышленности СССР, и определилось новое направление деятельности института – разработка полупроводниковых приборов. Приказом Министерства электронной промышленности СССР от 12 февраля 1966 г. НИИ №311 переименован в Научно-исследовательский институт полупроводникового приборостроения (НИИ ППС). Приказом МЭП СССР от 17 ноября 1972 г.
НИИ ППС был переименован в Научно-исследовательский институт «Сапфир» (НИИ «Сапфир»).
Подведомственность:
– Министерство промышленности средств связи СССР (1951–1956);
– Министерство радиотехнической промышленности СССР (1956–1958);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по радиоэлектронике (1958–1961);
– Государственный комитет Совета Министров СССР по электронной технике (1961–1962);
– Государственный комитет по электронной технике СССР (1963–1965);
– Министерство электронной промышленности СССР (1965–1991).
В настоящее время (на 2009 г.) – ОАО Научно-производственное предприятие «Сапфир» (ОАО «НПП Сапфир»).
Основные направления деятельности: разработка и производство полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Количество дел
:
4396
Крайние даты документов
:
1949-1999
Количество описей
:
11